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第三代半导体器件制备及评价技术获突破,半导

2019-11-22 作者:国际学校   |   浏览(72)

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赵玉海司长表示,改革开放以来,国内开展了很多新兴产业的打造工作,能在较短时间内做成功的产业并不是很多,而LED产业可以说是其中的典型。短短十几年时间内,中国LED产业从零开始,现在已经做到了产能规模大,产业技术水平的状态。他说 自去年和君资本入主以来,乾照光电产业扩张升级的速度不断超预期。12月16日,乾照光电与厦门大学共同承办了一场半导体发展战略研讨会,出席本次论坛的人员主要包括厦门大学张荣校长、康俊勇教授;科技部高新司原司长赵玉海、科技部高新司副司长曹国英;王启明院士、王立军院士、刘明院士、褚君浩院士、杨德仁院士;国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲、国家自然科学基金委员会信息科学部副主任秦玉文;以及来自科技部、中科院、清华大学、北京大学、南京大学、长春光机所等研究单位的诸位专家。此外,还有乾照光电在半导体产业链上下游的合作伙伴、客户、供应商;半导体行业相关媒体和证券媒体;厦门市政府、南昌市政府、扬州市政府等也出席了本次研讨会。 赵玉海司长表示,改革开放以来,国内开展了很多新兴产业的打造工作,能在较短时间内做成功的产业并不是很多,而LED产业可以说是其中的典型。短短十几年时间内,中国LED产业从零开始,现在已经做到了产能规模大,产业技术水平的状态。他说。 LED产业集中度加速提高 LED芯片行业前几年曾因新增产能的大幅释放导致价格大跌,不过在经历了2015年的市场低谷之后,由于LED产品价格已与传统照明相当甚至更低,反而加大了LED照明及显示屏产品的需求,进而引起封装厂批量扩产,终导致芯片缺货,市场出现供不应求的局面。 在芯片涨价、市场回暖的同时,LED芯片产业集中度正在加速上升。目前国内前五大芯片厂已经占据了近70的市场份额,可以预见,未来数年内产能将成为决定下游客户资源、获取优质订单的关键因素之一。 例如2017年中报里,三安光电称上半年LED芯片需求旺盛,价格保持稳定态势,设备处于满产状态,仍供不应求,近期更是抛出了总投资高达333亿元的扩产计划。 根据行业研究资料,国内LED芯片上市公司主要有三安光电、华灿光电、澳洋顺昌和乾照光电等。2017年第四季度,这四家企业的月产能分别在250万片、160万片、90万片和60万片左右。 在谈到国内LED产业的发展过程时,赵玉海司长还特别提到该产业在MOCVD设备端上对进口的过于依赖,称新兴产业培育必须从打造全产业链着手,这样才能形成竞争优势。 从现在开始,第三代半导体产业也将按照这样一个原则来做。这也成为科技部在部署十三五重大项目的一个基本职能。他说。 老公司新团队 乾照光电从2006年创立开始,仅用4年时间就实现了创业板的挂牌上市。上市后的乾照光电长期以红黄光芯片作为主业,直到2014年才开始拓展蓝绿光芯片领域。因此公司从营收规模并不大,2016年刚刚突破10亿元营收,净利润5000万元左右。 不过,自去年和君资本入主以来,公司开始频频发力,给人耳目一新的感觉。 2017年4月,乾照光电收购了同样做红黄光芯片的南昌凯迅光电24.65股权,以求形成联盟,在市场上共同维护红黄光价格体系。应该说,红黄光芯片是乾照光电起家的基础,在业内具有较高的市场壁垒和鲜明的技术特点。 2017年5月,公司又公告投资7.3亿元新增20台红黄光MOCVD设备,2018年初将陆续释放产能。 红黄光产能提升的同时,乾照光电也在扩充其产品。这个领域虽然是国内龙头,但主要还是中低端产品,在产品和国际市场上与台湾厂商在工艺技术上还有一些差距。乾照光电董事长金张育说。经过半年时间提升,目前公司的红黄倒装、红外产品已经批量生产并对外供货。 未来希望全面引进韩国、日本、台湾的工程师,推动倒装、高亮度、红外产品快速放量,有效拓展红外传感相关领域市场。他说。 在蓝绿光芯片方面,金张育认为之前的40万片规模在行业内确实比较小,所以将采取规模跟随策略,缩小与三安光电、华灿光电等厂家的差距。 2017年7月,乾照光电公告了蓝绿芯片南昌基地扩充方案,将分两期累计投资50亿元,扩产后新增月产能120-160万片,以确保在蓝绿光芯片领域具备有竞争力的产业优势。 据公司介绍,目前南昌基地已经开始动工建设,首期60-80万片的月产能将于2018年逐步释放。有行业研究员判断,随着产能释放,未来乾照光电的销售收入有望保持年均50左右的高速增长。 当天的论坛上,金张育还表示,借助和君资本的管理咨询业务,过去一年中乾照管理体系实现了全面升级,未来还希望能成为半导体领域产业创新孵化平台和投资平台,聚焦Mini LED和Micro LED等未来显示领域。

“十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,将“战略先进电子材料”列为发展重点之一,以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心,以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点,推动跨界技术整合,抢占先进电子材料技术的制高点。

责任编辑:黄伟彬

  [本站讯]12月16日,超宽禁带半导体材料与器件研讨会在山东大学举行。中国科学院院士郑有炓、山东大学校长张荣、科技部高新司副司长曹国英、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲、山东省科技厅厅长刘为民出席研讨会。研讨会开幕式由山东大学副校长李术才主持。

据科技部网站消息,“十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。近日,科技部高新司在北京组织召开项目验收会,项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能SiC基GaN器件。通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破,自主发展出相关材料与器件的关键技术,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

中科院王启明院士、褚君浩院士、王立军院士、刘明院士、杨德仁院士,科技部高新司原司长赵玉海,科技部高新司副司长曹国英、国家自然科学基金委员会信息科学部常务副主任秦玉文、国家半导体产业联盟吴玲理事长,厦门大学校长张荣,以及来自科技部、中科院、清华大学、北京大学、南京大学等研究单位的知名专家出席本次大会。此外,半导体行业相关媒体和证券媒体,厦门市政府领导、南昌市政府领导、扬州市政府领导等也出席了研讨会。开幕式由我校物理系康俊勇教授主持。

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以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值,适于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。

12月15日至17日,由厦门大学和厦门乾照光电股份有限公司联合举办的半导体发展战略研讨会在我校召开。大会以“不忘初芯,创领未来”为主题,吸引来自大陆和台湾的200余位专家、学者及业界人士共商我国半导体学科发展大计,并就如何推进我国半导体技术和产业提升,抢占未来全球半导体产业战略新高地等主题探讨交流,献计献策。

  本次会议由山东大学和山东省科技厅主办,济南中乌新材料有限公司协办。会议主题是推进我国以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料和器件研究及产业发展。研讨会立足国际发展前沿,着眼中国“十三五”规划,聚焦超宽禁带半导体材料制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用,旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台,共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势,积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

本次大会是中国半导体产业横跨产、学、研领域的高峰盛会,充分体现了新时代高校和企业协同创新模式的潜能,也赋予了我国第三代半导体发展的时代使命,更为厦门大学半导体学科的建设与发展带来了前所未有的机遇。

  与会代表就超宽带隙半导体材料和器件发展过程中可能遇到的问题和瓶颈,从国家支持、材料性质(如掺杂、可加工性、热导特性、缺陷结构等)、设备研制、器件工艺等方面进行了深入细致的研讨,积极为超宽禁带半导体材料与器件发展献计献策。部分专家学者围绕超宽禁带半导体材料与器件领域的前沿和热点作了专题学术报告。中科院半导体所李晋闽研究员、北京大学沈波教授、南京大学陆海教授等30余名专家学者参加研讨会。  会议认为,超宽带隙半导体的研究契合国家发展战略,对于我国抢占技术制高点、掌握国际竞争主导权具有重要意义,尤其是以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料具有独特优点,是对第三代宽禁带半导体产业的完善和坚强补充。超宽禁带半导体材料与器件的发展要充分借鉴半导体材料与器件的发展规律,以市场为导向,通过有效组织和联合攻关,实现核心技术突破;瞄准产业化目标,通过协同创新,拓展应用基础;以半导体论坛、学术会议为契机开展学术和产业的常态化交流。“十三五”期间在布局第三代宽禁带半导体材料与器件的同时,要注重超宽禁带半导体应用基础研究,带动全宽禁带半导体全链条协同发展、整体布局,要大力建设研发队伍和公共平台,聚焦国家需求,着力解决事关经济社会发展和国家安全的重大关键技术问题。

张荣校长在会上致辞。他强调,习近平总书记在党的十九大报告中指出,“创新是引领发展的第一驱动力”。新时代要有新作为,在中国制造的名片走向全球的过程中,创新不可缺席,特别是在关键领域抢占创新优势尤为关键。因此,加快微电子、光电子高端人才培养、提升我国半导体研发水平,应当是满足中国创新驱动发展战略的迫切需要,同时也为中国在全球经济发展和竞争中争取主动提供重要的支撑和基础。随着国家“双一流”建设的全面启动,学校开启了迈向世界一流大学的新征程。新时代,厦门大学半导体人应不忘信息时代最关键最核心的“芯”,通过创新引领半导体技术和产业的发展,携手共进,共创美好明天。

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大会期间,吴玲研究员、王立军院士、杨德仁院士、张荣教授等在技术论坛上先后作了精彩报告。报告多角度深入剖析当前全球第三代半导体产业格局,并结合当前我国第三代半导体产业的发展现状,展示了我国第三代半导体应用领域具备的扎实基础与显著优势。同时,借本次大会召开的契机,专家们围绕“光电子和微电子融合技术”深入探讨Si基光电子集成技术、Micro-LED和VCSEL技术、用于通讯的光电集成技术以及微波光子学的发展趋势和面临挑战。

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